電子製品レーザーポインターのブログ

Journal of Applied Physics Lettersの報告によると、日本の名古屋大学はXu Huachengと協力して、深紫外線を放射できるレーザーダイオードを製造しました。
千秋大学電子未来研究センター

短波長紫外線を放射できるレーザーダイオードはUV-Cと呼ばれ、その波長範囲は200〜280nmで、医療消毒、皮膚病治療、ガスおよびDNA分析に使用できます。

笹岡千秋教授が開発した深紫外線半導体レーザーは、半導体デバイス開発におけるいくつかの問題を克服しています。 レーザーダイオード層の基板として高品質の窒化アルミニウムを使用しています。 低品質のAlNには多数の欠陥が含まれているため、これが必要であると研究者は述べています。これは、電気エネルギーを光エネルギーに変換するレーザーダイオードの活性層の効率に影響を与えます。

レーザーダイオードでは、「p型」層と「n型」層が「量子井戸」によって分離されています。 電流が半導体レーザーを通過すると、p型層の正に帯電した正孔とn型層の負に帯電した電子が中心に集まり、最終的に光子の形でエネルギーを放出します。 研究者によって設計された量子井戸は、深紫外線を放出します。 彼らはガンアルミニウムを使用して、p型、n型、およびクラッド層を作成しました。 表土は、p型とn型の地層の両側にあります。 シリコン不純物はドーピングによってn型層の下のクラッド層に追加され、他の不純物は分散分極ドーピングによってp型層の上のクラッド層に追加されます。 p層の片側のカバー層は、下部が最も高く、上部に向かって徐々に減少するように設計されています。 研究者は、アルミニウムの勾配が正に帯電した穴の流れを強化できると信じています。 最後に、MgをドープしたGanアルミニウムの表面接触層を準備しました。 実験では、パルス電流が13.8ボルトの低い動作電圧に達した場合にのみ、偏光ドープp層がこれまでで最も短い波長の紫外線を放出できることを研究者は発見しました。

以前、笹岡教授のチームは、Xu Huachengと共同で、室温での連続的な深紫外線レーザー放射を実現し、UV-C半導体レーザー製品を開発していました。